“納米氧化硅在太陽能電池中的應(yīng)用”
納米氧化硅在太陽能電池中的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提高太陽能電池的性能和效率方面。以下是幾個主要的應(yīng)用點(diǎn)和相應(yīng)的參考信息：
硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的效率提升：
利用納米氧化硅（nc-SiOx:H）作為硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽能電池的窗口層，蘇州大學(xué)張曉宏、楊新波等人的研究實現(xiàn)了26.41%的高光電轉(zhuǎn)換效率。這一成果強(qiáng)調(diào)了納米氧化硅在提高硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池效率方面的潛力。
該研究通過開發(fā)一種工業(yè)規(guī)模的高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，成功沉積了具有優(yōu)異電子選擇性、低寄生吸收和高均勻性的摻雜nc-SiOx:H。這一技術(shù)降低了硅異質(zhì)結(jié)技術(shù)大規(guī)模制造的門檻。
減少寄生吸收和柵線遮擋：
納米氧化硅窗口層的應(yīng)用有助于減少硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池中的寄生吸收和柵線遮擋，這是提高太陽能電池性能的關(guān)鍵。通過優(yōu)化窗口層的材料和制備工藝，可以進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
大面積均勻性和電池效率分布：
在大面積（2.03*2.03 m2）nc-SiOx:H(n)窗口層PECVD沉積系統(tǒng)的研究中，甚高頻（27 MHz, VHF1）技術(shù)被證明能夠在大尺寸腔體中將駐波效應(yīng)降至最低，表現(xiàn)出更優(yōu)異的薄膜厚度均勻性和電池效率分布均勻性。
暗衰機(jī)理和電池效率損失分析：
蘇州大學(xué)楊新波教授團(tuán)隊對nc-SiOx:H(n)層的微觀結(jié)構(gòu)、界面演變、大面積均勻性、暗衰機(jī)理、電池效率損失分析等方面進(jìn)行了深入研究。這些研究有助于更好地理解納米氧化硅在太陽能電池中的作用機(jī)制，為進(jìn)一步提高太陽能電池的性能提供了理論基礎(chǔ)。
結(jié)合無種子層銅電鍍技術(shù)：
結(jié)合無種子層銅電鍍技術(shù)制備的高質(zhì)量銅電極，可以進(jìn)一步提高硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的性能。這種技術(shù)能夠產(chǎn)生具有高縱橫比和低金屬含量的網(wǎng)格，從而降低電池的成本并提高性能。
綜上所述，納米氧化硅在太陽能電池中的應(yīng)用主要是通過作為窗口層、提高薄膜均勻性、降低寄生吸收和柵線遮擋以及結(jié)合先進(jìn)的制備技術(shù)等方式來提高太陽能電池的性能和效率。隨著研究的深入和技術(shù)的進(jìn)步，納米氧化硅在太陽能電池領(lǐng)域的應(yīng)用前景將更加廣闊。
